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喷淋清洗IGBT水基解决方案W3200合明科技半导体封装清洗
2022-02-17  浏览:1
 喷淋清洗IGBT水基解决方案W3200 合明科技 半导体封装清洗

 

水基清洗剂,环保清洗剂,电路板清洗,助焊剂清洗剂,半导体清洗,丝网清洗,红胶清洗,治具清洗,功率器件清洗,电路板清洗剂_免洗助焊剂清洗剂合明科技专注精密电子清洗技术20多年,是SMT贴装/DIP封装,功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。

 

现今电子产品清洗追求清洗过程中生产、表面无损伤、节省溶剂、工作场地和人工成本;超声波清洗就有清洗速度、工效高,大大降低清洗作业的人力劳动强度的特点,特别是大批量的小制件(或元器件),尤其适用于超声波清洗,超声波清洗机的应用便于清洗工艺的实施及工艺过程的连续自动化,设备体积小,重量轻,功率可调,且可频率跟踪,操作灵活方面等优点已被广泛应用。但针对超声波清洗过程中的变量该如何选择和控制呢?
清洗干净度的评价和评估。往往采取两个方式。一,裸眼经40~100倍的显微放大观察清洗物表面残余物的状况,以见不到残余物为评判依据。二,使用表面离子污染度检测方式对被清洗物表面进行检测,以检测的数据比照技术指标要求评价。在实际生产应用中,特别关注低托高,micro gap。
比如说在器件底部,包括Chip件、QFN底部,芯片或者是倒装芯片底部残留物的去除状况。往往当这些底部的残余物能够有效去除,那么其他部位的残余物也应可以评判为去除。QFM和芯片底部必须采用机械方式打开,观测底部残留物的状况来评判干净度,为了达到Micro gap的托高底部的残留物清除,清洗剂物理化学特性(比方说表面张力)和清洗设备喷淋的角度、压力、方向以及喷淋的时间温度都对底部清除污垢有很大的影响度。
甘孜喷淋清洗IGBT方案
从传统的溶剂型清洗转入半水基清洗,合明需提醒的是由于清洗机理不同,对超声波的选型会有区别。溶剂型一般选用中低频的超声波,而半水基则选择中高频的超声波。同时,半水基清洗工艺需配合清洗温度和清洗时间来保障清洗效果。清洗设备需吻合半水基清洗工艺的要求,包括声频率、清洗和漂洗的功能设置,半水基清洗工艺不宜套用溶剂清洗的工艺。选定水基清洗工艺后,设备必须满足水基工艺,清洗材料与设备相辅相成,才能达到良好的清洗效果。
甘孜喷淋清洗IGBT方案
通常认为清洗表面贴装组件非常难,因为,有时候表面贴装元件和电路板之间的托高高度很低,形成小的间隙,可能会截留助焊剂,导致在清洗过程中难以去除助焊剂。事实上,如果在选择清洗工艺及设备时适当注意,且焊接和清洁工艺得到适当的控制,那么清洗表面贴装组件就不应该有问题,即使使用了侵蚀性助焊剂。然而需要强调的是,当使用侵蚀性水溶性助焊剂时,良好的工艺控制是必不可少的。
甘孜喷淋清洗IGBT方案
由于使用需要清洗和处置含铅溶剂废物的助焊剂会导致环境问题,因此免清洗助焊剂的使用正在增加。但我们还需要切记,免清洗助焊剂不如其他类型助焊剂的活性高,因此,除帆司内部以及零部件和PCB供应商采取适当步骤,否则焊接结果可能会预期。
深圳合明科技 针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、IC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度,离子残留低、干净度好。

 

 

针对电子制程精密焊后清洗的不同要求,合明科技在水基清洗方面有比较丰富的经验,对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况,自主开发了较为完整的水基系列产品,精细化对应涵盖从半导体封测到PCBA组件终端,包括有水基和半水基清洗剂,碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在,在同等的清洗力的情况下,合明科技的兼容性较佳,兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下,合明科技的清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分),清洗速度更快,离子残留低、干净度更好。

 

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