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新闻中心
国产SiC碳化硅MOSFET功率模块,半桥碳化硅功率模块
发布时间:2023-02-26        浏览次数:10        返回列表
 碳化硅功率模块的优点
Hybrid SiC Module混合碳化硅和SiC MOSFET功率模块结合了成熟的工业标准功率模块和封装技术的优点。得益于多种封装优化,碳化硅的各种优点得以充分利用。
碳化硅功率模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率,从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗,提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小,从而实现更高的功率密度。
碳化硅功率模块的关键特性
更高的开关频率,够优化滤波元件并降低其成本
冷却设备更紧凑,降低功率损耗,从而提升效率并降低系统成本和规模
最新的碳化硅SiC MOSFET芯片
标准工业封装,按照碳化硅的要求进行优化:电感,低热阻
针对实际应用优化芯片组 
碳化硅功率模块的应用 
太阳能逆变器:升压电路和逆变器应用
储能系统:大效率和低噪声
UPS:高效双转换系统
电机驱动器:主动前端与电机侧(混合碳化硅和SiC MOSFET 三相全桥和半桥)
电源:牵引应用、感应加热等的助电源
领先的芯片和封装技术,实现最大能效
混合碳化硅模块:功率损耗降低50%,用简便
IGBT开关与碳化硅肖特基二极管相结合
几乎没有二极管损耗,并显著减少IGBT开关损耗
高速IGBT和碳化硅肖特基二极管使关损耗降低50%
轻松实现成本优化的碳化硅解决方案:动器或系统无需进行重大设计变更,使用的碳化硅芯片面积小,能够限制成本 
SiC MOSFET功率模块主要应用:太阳能逆变器,储能系统,大功率汽车充电站,高效、高速电机驱动。