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公司名称: |
大芯超导有限公司 |
公司类型: |
企业单位 () |
所在地区: |
广东/深圳市 |
公司规模: |
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注册资本: |
2000万人民币 |
注册年份: |
2012 |
资料认证: |
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保 证 金: |
已缴纳 ¥0.00 元 |
经营范围: |
光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,光伏逆变器SiC MOSFET,国产IGBT Hybrid Discrete,IGBT单管,国产混合IGBT单管,国产混合三电平SiC-IGBT模块,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,国产分立碳化硅MOSFET,国产TO263-7碳化硅MOSFET,国产碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏 |
销售产品: |
光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,光伏逆变器SiC MOSFET,国产混合三电平SiC-IGBT模块,IGBT Hybrid Discrete,IGBT单管,国产混合IGBT单管,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块,国产SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,国产分立碳化硅MOSFET,国产TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变 |
采购产品: |
光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管,国产混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET,IGBT Hybrid Discrete,IGBT单管,混合IGBT单管,国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块,SOT-227碳化硅肖特基二极管模块,混合SiC-IGBT模块,BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管,分立碳化硅MOSFET,国产TO263-7碳化硅MOSFET,碳化硅(SiC)MOSFET,储能逆变器SiC MOSFET,光伏逆变器S |
主营行业: |
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